DMG1016UDW-7

Маркировка

DMG1016UDW-7

Описание

MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363

Производитель

Diodes Inc

Характеристики DMG1016UDW-7

  • Серия
    -
  • Производитель
    Diodes Inc
  • FET Type
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    1.07A, 845mA
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    0.73nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Power - Max
    330mW
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение / Корпус
    SC-70-6, SC-88, SOT-363
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.